Рассчитаны спектральные характеристики (СХ) дифференциальной вольтовой фоточувствительности S_V инжекционных p⁺-n-фотодиодов с длинной варизонной базой в режиме высокого уровня инжекции при низкой интенсивности освещения. Проанализирована зависимость формы спектра S_V от параметров базы диода и функции оптической генерации. Показано, что в таком режиме инжекционные p⁺-n-фотодиоды с варизонной базой имеют селективный спектр S_V, описывающийся двумя экспонентами. Ширина и форма СХ S_V определяются крутизной края поглощения, диффузионной длиной дырок в базе и градиентом E_g. Теоретические результаты подтверждены экспериментально на структурах Al_xGa_1-xAs-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.