"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Селективная фоточувствительность длинных p+-n-диодов с варизонной базой на основе AlxGa1-xAs
Пека Г.П., Каваляускас А.А., Пулеметов Д.А., Смоляр А.Н., Шимулите Е.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Рассчитаны спектральные характеристики (СХ) дифференциальной вольтовой фоточувствительности SV инжекционных p+-n-фотодиодов с длинной варизонной базой в режиме высокого уровня инжекции при низкой интенсивности освещения. Проанализирована зависимость формы спектра SV от параметров базы диода и функции оптической генерации. Показано, что в таком режиме инжекционные p+-n-фотодиоды с варизонной базой имеют селективный спектр SV, описывающийся двумя экспонентами. Ширина и форма СХ SV определяются крутизной края поглощения, диффузионной длиной дырок в базе и градиентом Eg. Теоретические результаты подтверждены экспериментально на структурах AlxGa1-xAs-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.