"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обратный ток и фототок p-n-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров
Асрян Л.В., Шик А.Я.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Вычислены темновой ток и фототок обратно смещенного p-n-перехода с произвольной концентрацией рекомбинационных центров N в области пространственного заряда, когда распределение носителей в поле перехода не является квазиравновесным. Показано, в частности, что квантовый выход может зависеть от напряжения смещения и температуры и при больших N существенно меньше единицы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.