"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
Калитенко В.А., Кучеров И.Я., Перга В.М.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Исследована акустическая эмиссия (АЭ) в монокристаллах Si и CdS при протекании электрического тока. Обнаружено, что при приложении к образцам Si и CdS электрического поля и протекании тока определенной величины возникают сигналы АЭ, носящие импульсный характер. АЭ в Si возникает при напряженностях электрического поля ~50/80 В/см, CdS - ~600/700 В/см. Образцы Si при этом существенно нагреваются. После отключения источника тока АЭ в образцах CdS прекращается мгновенно, а у большинства образцов Si наблюдается остаточная АЭ, которая медленно уменьшается со временем. В этих же образцах Si АЭ наблюдается и при их нагревании от постороннего источника тепла. Предполагается, что АЭ в монокристаллах Si и CdS при протекании электрического тока обусловлена срывом и движением заряженных дислокаций под действием электрического напряжения. В Si дополнительной причиной срыва и движения дислокаций могут быть и термоупругие напряжения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.