"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры
Григорьев Б.И., Корольков В.И., Рожков А.В.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Изложены физические основы работы нового типа импульсных тиристоров --- фотонно-инжекционных. Предложена теория работы прибора в стационарных режимах. Получены условия лавинного роста тока в приборе при низком и высоком уровнях инжекции в слабо легированном n0-слое. Показано, что фотонно-инжекционный импульсный тиристор в отличие от традиционных реально является полностью управляемым прибором, так как может быть выключен по цепи управления. В этих тиристорах высока эффективность процесса модуляции слабо легированного n0-слоя. Основные результаты предложенной теории находятся в согласии с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.