Теоретически исследовано влияние протяженных дефектов (включений сферической формы) с повышенным темпом рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в фоточувствительной полупроводниковой матрице. Степень их влияния описывается скоростью поверхностной рекомбинации s на границе раздела включение-матрица и эффективной длиной L_c - монотонно возрастающей функции от s, радиуса дефекта r_c и диффузионной длины неосновных носителей L. Вводится критическая плотность включений, выше которой эффективное среднее время жизни tau не определяется объемной скоростью рекомбинации. Рассчитаны зависимости tau от плотности и размера включений для твердого раствора Cd_xHg_1-xTe n- и p-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.