"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
Вирт И.С., Григорьев Н.Н., Любченко А.В.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Теоретически исследовано влияние протяженных дефектов (включений сферической формы) с повышенным темпом рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в фоточувствительной полупроводниковой матрице. Степень их влияния описывается скоростью поверхностной рекомбинации s на границе раздела включение--матрица и эффективной длиной Lc --- монотонно возрастающей функции от s, радиуса дефекта rc и диффузионной длины неосновных носителей L. Вводится критическая плотность включений, выше которой эффективное среднее время жизни tau не определяется объемной скоростью рекомбинации. Рассчитаны зависимости tau от плотности и размера включений для твердого раствора CdxHg1-xTe n- и p-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.