"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
Архипов В.И., Логин В.М., Руденко А.И., Симашкевич А.А., Шутов С.Д.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Приведены результаты теоретического и экспериментального исследовании процессов формирования потенциального барьера в приэлектродной области аморфного полупроводника. Показано, что возникновение барьера вблизи контакта металл--аморфный полупроводник, а также свойства этого барьера обусловлены широким энергетическим спектром локализованных состояний g( E), характерным для неупорядоченных полупроводников. Проводится также сравнение полученных теоретических результатов с экспериментальными данными по частотной, температурной и полевой зависимостям барьерной емкости. Результаты проведенных исследований позволяют сделать вывод об активационном характере барьеров в структурах металл--аморфный полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.