"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
Грехов А.М., Дерюгина Н.И., Клапченко Г.М., Цященко Ю.П.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

В кластерном приближении методом ППДП/2 рассчитаны изменения интегральных и локальных плотностей состояний при различных внедрениях атомов Н, F, Сl в a-Si : Н. Было выяснено, что при введении в кластер вместо центрального атома одиночных атомов F или Сl с образованием ковалентной связи уменьшается плотность состояний в щели подвижности, причем в случае фтора эффект выражен сильнее. Важной особенностью локальной плотности состояний одиночного атома F является наличие пика в валентной зоне, лежащего ниже потолка зоны на 9 эВ. При введении в вакансию 4 атомов фтора щель подвижности "очищается" полностью. Из сравнения локальных плотностей состояний, характера химических связей фтора и хлора выяснена возможность подавления эффекта Стеблера--Вронского при введении этих элементов в a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.