"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
Антоненко В.И., Ждан А.Г., Сульженко П.С.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Развита теория спектроскопии пограничных состояний (ПС) методом термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме стабилизации его емкости для случая произвольного спектра ПС и произвольной энергетической зависимости сечений захвата электронов sigma. Результаты применены для обработки экспериментальных данных, полученных на Al-SiO2-n-Si-Ag --- МОП структурах. В области энергий 0.2-0.35 эВ ниже дна зоны проводимости Si sigma~=const~=10-16 см2; в области энергий 0.35-0.5 эВ наблюдаются ПС двух типов с различными sigma: sigma1 изменяется в пределах 10-15-10-13, sigma2 --- в пределах 10-16-10-14 см2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.