"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Михаила Николаевича Заргарьянца 10.07.1933-11.10.2013
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

[!t] [scale=0.98]zag.eps 11 октября 2013 г. на восемьдесят первом году жизни скончался известный ученый в области полупроводниковых лазеров, оптоэлектроники и интегральной оптики, действительный член Оптического общества им. Д. С. Рождественского, кандидат физико-математических наук Михаил Николаевич Заргарьянц. Ушел из жизни замечательный исследователь, изобретатель, стоявший у истоков отечественной полупроводниковой квантовой электроники, создатель первых в СССР (1965 год) инжекционных лазеров непрерывного действия на арсениде галлия. Заслугой Михаила Николаевича перед отечественной наукой и техникой является не только цикл исследований стимулированного и спонтанного излучения p-n-переходов на основе GaAs и гетероструктур на основе GaAs-GaAlAs, но также разработка и внедрение на заводе Министерства оборонной промышленности технологии производства излучающих диодов и полупроводниковых квантовых генераторов (ПКГ) для различных оборонных комплексов: ИП-3 и ИП-3Д для полевых дальномеров; ИПД-1 для систем ориентации баллистических шахтных ракет; ПКГ-4 для систем управления противотанковой ракетой; ПКГ-3 для систем передачи информации с космических аппаратов на Землю; ПКГ-6 для командной системы противотанковых управляемых реактивных снарядов; ПКГ-9 для излучателя оптического взрывателя и др. В исследованиях, выполненных в НИИ "Прикладной физики" (позже НПО "ОРИОН") под руководством Михаила Николаевича, было показано, что рекомбинационное (спонтанное) и лазерное (стимулированное) излучение p-n-перехода во всем диапазоне прямых токов обусловлено только диффузионной составляющей при надбарьерной инжекции носителей зарядов. В разработке ПКГ для военной техники были решены проблемы теплоотвода, повышения надежности и срока службы ПКГ, охлаждаемых жидким азотом (температура T=78 K, длина волны lambda=0.84 мкм) и неохлаждаемых (T=300 K, lambda=0.9 мкм). Под руководством Михаила Николаевича сформировался коллектив молодых специалистов в области полупроводниковой квантовой электроники. Он был руководителем более 40 дипломников и нескольких аспирантов. Под его руководством были разработаны на основе полупроводниковых инжекционных лазеров и многослойных полупроводниковых гетероструктур оптоэлектронные устройства и монолитные интегрально-оптические системы. Талант физика-исследователя, технолога и инженера особенно ярко проявился в создании фотокатода с отрицательным электронным сродством на основе арсенида галлия, давшего начало разработке и производству электронно-оптических преобразователей (ЭОП) третьего поколения. Полученная Михаилом Николаевичем интегральная чувствительность фотокатода из GaAs ~1500 мкА/лм вполне соответствует современному уровню параметров ЭОП. Эта работа была высоко оценена в Академии наук СССР и в промышленности. Технология изготовления фотокатода, разработанная под руководством Михаила Николаевича, была внедрена на новосибирском заводе "Экран" Министерства электронной промышленности СССР. Михаил Николаевич Заргарьянц - автор более 100 научных работ и 30 изобретений. Он награжден медалью "Заслуженный машиностроитель", шестью медалями ВДНХ, почетным дипломом Оптического общества им. Д. С. Рождественского. В исследованиях и опытно-конструкторских работах, проводимых Михаилом Николаевичем, проявился не только талант ученого и инженера, но также его бойцовский характер, целеустремленность, работоспособность, временами ершистость в интересах дела и бескомпромиссность. Иногда с ним было трудно, но всегда интересно иметь дело. Высокий профессионализм и кипучая энергия в работе были главными чертами его личности. Его друзья и соратники в труде всегда будут помнить неугомонного исследователя, изобретателя, влюблённого в свою работу ученого, внесшего большой вклад в практическую квантовую электронику и интегральную оптику. Коллеги и друзья из НПО ОРИОН", НПО Альфа", редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  1. D.V. Brunev, A.N. Karpov, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya. Int. J. Nanosci., 3, 9 (2004)
  2. A.K. Myers-Beaghton, D.D. Vvedenski. Phys. Rev. B, 42, 9720 (1990)
  3. И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
  4. К. Werner, S. Butzke, S. Radelaar, F. Balk. J. Cryst. Growth, 136, 338 (1994)
  5. R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174 703 (2005)
  6. R.Q.M. Ng, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 131, 044 707 (2009)
  7. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  8. Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ФТП, 45, 566 (2011)
  9. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ, 82, 83 (2012)
  10. K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989)
  11. C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  12. R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  13. A.V. Potapov, L.K. Orlov. Phys. Stаtus Solidi C, 195, 853 (2003)
  14. А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
  15. J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164 713 (2007)
  16. M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075 319 (2002)
  17. A. Yoshigoe, K. Mase, Y. Tsusaka, T. Urisu, Y. Kobayashi, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 67, 2364 (1995)
  18. S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  19. K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  20. B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
  21. U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  22. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
  23. Л.К. Орлов, С.В. Ивин, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 30, 88 (2013)
  24. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1952 (2013)
  25. Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 32, 42 (2013)
  26. A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.