"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса
Ивина Н.Л.1,2, Орлов Л.К.1,3
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Академия при Президенте Российской Федерации, РАНХ и ГС (кафедра информатики и информационных технологий), Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

С использованием результатов технологических экспериментов на базе двухкомпонентной кинетической модели (SiH4->SiH3+SiH) определена область характерных частот распада радикалов молекул гидридов кремния, адсорбируемых поверхностью роста слоя в диапазоне температур 450-700oC, и оценена степень покрытия поверхности кремния радикалами SiHj в условиях эпитаксиального роста. Определены характер температурных зависимостей степени заполнения поверхности отдельными фрагментами молекул и скорости их распада на поверхности кремния в различных режимах, соответствующих постоянству во всем температурном интервале отношения концентраций радикалов моносилана (SiH=gSiH3), либо постоянству скоростей их распада (nuSiH3=xinuSiH). Показано, что наблюдаемый вид температурной зависимости скорости распада молекул на поверхности роста не описывается простыми кривыми активационного типа, что связано c особенностями взаимодействия молекулярного пучка гидрида с поверхностью Si в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом. Рассмотрено влияние на вид температурных зависимостей характера адсорбции атомов водорода и различных условий их перехода с молекулы на поверхность роста.
  1. D.V. Brunev, A.N. Karpov, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya. Int. J. Nanosci., 3, 9 (2004)
  2. A.K. Myers-Beaghton, D.D. Vvedenski. Phys. Rev. B, 42, 9720 (1990)
  3. И.Л. Алейнер, Р.А. Сурис. ФТТ, 34, 1522 (1992)
  4. К. Werner, S. Butzke, S. Radelaar, F. Balk. J. Cryst. Growth, 136, 338 (1994)
  5. R.D. Smardon, G.P. Srivastava. J. Chem. Phys., 123, 174 703 (2005)
  6. R.Q.M. Ng, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 131, 044 707 (2009)
  7. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  8. Л.К. Орлов, С.В. Ивин. ФТП, 45, 566 (2011)
  9. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ЖТФ, 82, 83 (2012)
  10. K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989)
  11. C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  12. R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  13. A.V. Potapov, L.K. Orlov. Phys. Stаtus Solidi C, 195, 853 (2003)
  14. А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
  15. J. Shi, E.S. Tok, H.C. Kang. J. Chem. Phys., 127, 164 713 (2007)
  16. M. Shinohara, A. Seyama, Y. Kimura, M. Niwano. Phys. Rev. B, 65, 075 319 (2002)
  17. A. Yoshigoe, K. Mase, Y. Tsusaka, T. Urisu, Y. Kobayashi, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 67, 2364 (1995)
  18. S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  19. K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  20. B.A. Ferguson, C.T. Reeves, D.J. Safarik, C.B. Mullins. J. Phys. Chem., 113, 2470 (2000)
  21. U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  22. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
  23. Л.К. Орлов, С.В. Ивин, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 30, 88 (2013)
  24. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. ЖОХ, 83 (12), 1952 (2013)
  25. Н.Л. Ивина, Т.Н. Смыслова. Хим. физика, 32, 42 (2013)
  26. A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.