Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние концентрации неравновесных носителей заряда на эдс Холла в полупроводнике p-типа

Конин А.¹

¹Институт физики полупроводников Центра физических исследований и технологии, L Вильнюс, Литва

Поступила в редакцию: 12 сентября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

PDF версия

Исследована зависимость эдс Холла от внешнего электрического поля в дырочном полупроводниковом образце в слабом магнитном поле. Показано, что эдс Холла нелинейно зависит от электрического поля в образце, толщина которого сравнима с диффузионной длиной, а поверхностная рекомбинация достаточно мала. Знак эдс Холла противоположен ее знаку в массивном образце в определенной области напряженностей электрического поля. Теоретическая модель хорошо описывает экспериментальные данные, полученные на образце p-Ge.

П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1977)
E. Ramsden. Hall-Effect Sensors (USA, Newnes-Elsevier, 2006)
Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
R. Landauer, J. Swanson. Phys. Rev., 91, 555 (1953)
P.C. Banbury, H.K. Henisch, A. Many. Proc. Phys. Soc., 66A, 753 (1953)
A. Konin, R. Raguotis. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 9163 (2000)
A. Konin. Lithuan. J. Phys., 46, 307 (2006)
S.M. Valdovinos, Yu.G. Gurevich. Revista Mexicana de Fisica, 57, 368 (2011)
M. Krvcmar, W.M.Saslow. Phys. Rev. B, 65, 233313-1 (2002)
И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
A. Konin. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 016 214 (2007)
A. Konin. Lithuan. J. Phys., 46, 233 (2006)
А. Конин. ФТП, 45, 602 (2011)
O.Yu. Titov, J. Giraldo, Yu.G. Gurevich. Appl. Phys. Lett., 80, 3108 (2002)
А.М. Конин, А.П. Сащук. Приборы и техника эксперимента, 39, 135 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель