"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Тимошина Н.Х.1, Салий Р.А.1, Лантратов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Работа посвящена фундаментальным потерям в негенерирующей (остаточной) части многопереходных солнечных элементов. Предложен и обоснован метод определения вольт-амперной характеристики остаточной части солнечных элементов. Метод является обобщением метода, пригодного для однопереходных фотоэлектрических преобразователей. В работе произведен учет дисбаланса фотогенерированных токов и люминесцентной связи между субэлементами, что позволяет использовать предлагаемый метод и для многопереходных солнечных элементов. Метод применен к однопереходным (InGaP, GaAs, Ge) и трехпереходным солнечным элементам (InGaP/GaAs/Ge). Выявлено два вида вольт-амперных характеристик J(V), для которых установлены эмпирические законы. Первый вид отличается монотонной сверхлинейностью J propto Vn, n~ 1.3-1.4, и обусловлен сопротивлением растекания, второй вид наблюдался только в трехпереходных солнечных элементах и характеризуется двухэкспоненциальной зависимостью с наличием сублинейности на начальном участке, J propto [e(V/E1)-e(-V/E2)], E1~ 0.35B, E2~ 0.15-0.30B. В результате удалось установить, что токопрохождение в остаточной части многопереходных солнечных элементов лимитируется не только сопротивлением растекания, но и другими факторами, например, изотипными гетероинтерфейсами.
  1. В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989) гл. 2.1
  2. В.М. Евдокимов. Проблемы теории и перспективы повышения эффективности фотопреобразования. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи, под. ред. Ж.И. Алфёрова, Ю.В. Шмарцева (Л., Наука, 1986) с. 141
  3. Н.А. Калюжный. Автореф. канд. дисс. (Спб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2011)
  4. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 46 (8), 1074 (2012)
  5. M.Z. Shvarts, M.A. Mintairov, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, N.Kh. Timoshina. AIP Conf. Proc. (9th Int. Conf Concentrator Photovoltaic Systems, Miyazaki, Japan, 2013), 1556, 147 ( 2013)
  6. V.D. Rumyantsev. In: V.M. Andreev, V.A. Grilikhes, V.D. Rumyantsev. Photovoltaic Conversion of Concentrated Sunlight (John Wiley \& Sons, Ltd., 1997) chap. 2.3
  7. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, N.A. Kalyuzhnyy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov. Proc. 22th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Milan, Italy, 2007)
  8. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
  9. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) гл. 5.2.2
  10. A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.M. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516, 6739 (2008)
  11. R. Hoheisel, A.W. Bett. IEEE J. Photovolt., 2 (3), 398 (2012)
  12. A.B. Or, P. Fuss-Kailuweit, S.P. Philipps, U. Fiedeler, S. Essig, E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Proc. 27th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Frankfurt, Germany, 2012) p. 150.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.