"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Тимошина Н.Х.1, Салий Р.А.1, Лантратов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Работа посвящена фундаментальным потерям в негенерирующей (остаточной) части многопереходных солнечных элементов. Предложен и обоснован метод определения вольт-амперной характеристики остаточной части солнечных элементов. Метод является обобщением метода, пригодного для однопереходных фотоэлектрических преобразователей. В работе произведен учет дисбаланса фотогенерированных токов и люминесцентной связи между субэлементами, что позволяет использовать предлагаемый метод и для многопереходных солнечных элементов. Метод применен к однопереходным (InGaP, GaAs, Ge) и трехпереходным солнечным элементам (InGaP/GaAs/Ge). Выявлено два вида вольт-амперных характеристик J(V), для которых установлены эмпирические законы. Первый вид отличается монотонной сверхлинейностью J propto Vn, n~ 1.3-1.4, и обусловлен сопротивлением растекания, второй вид наблюдался только в трехпереходных солнечных элементах и характеризуется двухэкспоненциальной зависимостью с наличием сублинейности на начальном участке, J propto [e(V/E1)-e(-V/E2)], E1~ 0.35B, E2~ 0.15-0.30B. В результате удалось установить, что токопрохождение в остаточной части многопереходных солнечных элементов лимитируется не только сопротивлением растекания, но и другими факторами, например, изотипными гетероинтерфейсами.
  • В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989) гл. 2.1
  • В.М. Евдокимов. Проблемы теории и перспективы повышения эффективности фотопреобразования. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи, под. ред. Ж.И. Алфёрова, Ю.В. Шмарцева (Л., Наука, 1986) с. 141
  • Н.А. Калюжный. Автореф. канд. дисс. (Спб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2011)
  • М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 46 (8), 1074 (2012)
  • M.Z. Shvarts, M.A. Mintairov, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, N.Kh. Timoshina. AIP Conf. Proc. (9th Int. Conf Concentrator Photovoltaic Systems, Miyazaki, Japan, 2013), 1556, 147 ( 2013)
  • V.D. Rumyantsev. In: V.M. Andreev, V.A. Grilikhes, V.D. Rumyantsev. Photovoltaic Conversion of Concentrated Sunlight (John Wiley \& Sons, Ltd., 1997) chap. 2.3
  • V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, N.A. Kalyuzhnyy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov. Proc. 22th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Milan, Italy, 2007)
  • N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
  • Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) гл. 5.2.2
  • A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.M. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516, 6739 (2008)
  • R. Hoheisel, A.W. Bett. IEEE J. Photovolt., 2 (3), 398 (2012)
  • A.B. Or, P. Fuss-Kailuweit, S.P. Philipps, U. Fiedeler, S. Essig, E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Proc. 27th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Frankfurt, Germany, 2012) p. 150.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.