"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы
Коман Б.П.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко (факультет электроники), Львов, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

С использованием методики подпороговых токов МОП-транзисторов в интервале температур (290--450) K исследовано влияние температурных режимов рентгеновского облучения на кинетику изменения параметров Uth и Dit кремниевых МОП-транзисторов с длиной канала 2--10 мкм. Установлено, что по исследуемым параметрам при температурах облучения выше 360 K (температура низкотемпературного максимума в спектре ТСД транзистора) наблюдается снижение радиационной чувствительности транзисторов, которая достигает своего максимального значения в области 430 K (соответствует высокотемпературному максимуму). Полученные результаты интерпретируются с позиции модели существования двух типов ловушек для носителей заряда и перераспределения под действием облучения электрическиактивных ионов Na+, K+, Li+ и H+ между ними, а также эффекта частичной нейтрализации зарядов на межфазной границе.
  1. И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники (М., Энергоатомиздат, 1997)
  2. В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Н.Л. Куров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Радио и связь, 1990)
  3. В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, В.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO-=SUB=-2-=/SUB=- (Новосибирск, Наука, 1981)
  4. В.Н. Вертопрахов, В.Г. Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах (Новосибирск, Наука, 1981)
  5. А.П. Барабан, В.В. Балавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л. ЛГУ, 1988)
  6. В.М. Гонтарь, М.Г. Султанов. Электрон. техн., 5, 48 (1991)
  7. H. Ohyama, К. Hayama, К. Такакура, Т. Jono, С. Simoen, C. Claeys. Microelectron. Engin., 66, 530 ( 2003)
  8. Ю.В. Баринов, В.Н. Безбородов, В.В. Емельянов, В.С. Першенков. ФТП, 29, 323 (1995)
  9. Б.П. Коман. Фiзика i хiмiя твердого тiла, 13, 1281 (2012)
  10. B.P. Koman, O.V. Galchynskyy, R.O. Kovalyuk. NIM B, 116, 389 (1996)
  11. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  12. F.G. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48, 133 (1986)
  13. M. Gaitan, T.J. Russell. IEEE Trans. Nucl. Sci., 31, 1256 (1984)
  14. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем (М., Энергоатомиздат, 1988)
  15. Б.П. Коман. Укр. фiз. жур., 45, 1440 (2000)
  16. Б.П. Коман. Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологii, 39, 88 (2012)
  17. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 2010)
  18. Е.Ф. Венгер, В.Е. Примаченко, С.И. Кирилова, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 38, 134 (2003)
  19. D. Vuillaume. Appl. Phys. Lett., 59, 3118 (1991)
  20. D. Vuillaume. J. Appl. Phys., 70, 6902 (1991)
  21. N.M. Johnson, D.K. Biegelsen, M.D. Moyer. Appl. Phys. Lett., 43, 563 (1983)
  22. E.N. Poindexter. Semicod. Sci. Technol., 4, 961, (1989)
  23. G.J. Gerardi, E.H. Poindexter, P.J. Caplan, N.M, Johnson. Аppl. Phys. Lett., 49, 348 (1986)
  24. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  25. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская. ФТП, 33, 306 (1999)
  26. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
  27. И.П. Лисовский, В.Г. Литовченко, Г.Ф. Романова. Укр. физ. жур., 38, 1532 (1993)
  28. В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35, 1041 (2001)
  29. C.T. Sah. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-- 23, 1563 (1976)
  30. C.T. Sah, J.Y. Sun, J.J. Tzou. J. Appl. Phys. 54, 2547 (1983)
  31. A.G. Revesz. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-- 24, 2102 (1977)
  32. А.Б. Симаков, А.Ю. Башин. Микроэлектроника, 36, 62 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.