"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины
Зуев В.В.1, Григорьев С.Н.2, Романов Р.И.1, Фоминский В.Ю.1, Григорьев В.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Приведены результаты сравнительного исследования электрофизических свойств газосенсорных полупроводниковых структур, полученных импульсным лазерным осаждением платины, ионной имплантацией платины, а также комбинированным методом имплантации и осаждения платины на подложку n-6H-SiC. Двухслойные структуры показали более сильный отклик на газообразный водород при более выраженном диодном характере вольт-амперных характеристик для высоких температур ~500oC, чем однослойные ионно-имплантированные структуры. Кроме того, двухслойные структуры обладали большей воспроизводимостью параметров вольт-амперных характеристик при термоциклировании в водородосодержащей среде, чем обычные тонкопленочные структуры на подложке SiC. Исследованы химическое состояние ионно-имплантированной платины и структура тонкопленочных слоев после длительных испытаний в осложненных условиях. Рассмотрены возможные механизмы влияния платины на токопрохождение в ионно-имплантированном слое и его зависимость от состава окружающей газовой среды.
  1. M. Andersson, R. Pearce, A.L. Spetz. Sensors Actuators B, 179, 95 (2013)
  2. A. Trinchi, S. Kandasamy, W. Wlodarski. Sensors Actuators B, 133, 705 (2008)
  3. M.T. Soo, K.Y. Cheong, A.F.M. Noor. Sensors Actuators B, 151, 39 (2010)
  4. A. Samman, S. Gebremariam, L. Rimai, X. Zhang, J. Hangas, G.W. Auner. Sensors Actuators B, 63, 91 (2000)
  5. В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин, В.В. Григорьев. ФТП, 45 (5), 694 (2011)
  6. В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский, А.Г. Гнедовец, Г.А. Киселев. ЖТФ, 77 (11), 88 (2007)
  7. В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин, В.В. ФТП, 44 (4), 556 (2010)
  8. L. Shuang, Z. Zhiyong, N. Yonggong, C. Ai, Z. Huaiwu, Y. Jiade. Vacuum, 65, 133 (2002)
  9. I. Shalish, C.E.M. de Oliveira, Y. Shapira, L. Burstein, M. Eizenberg. J. Appl. Phys., 88 (10), 5724 (2000)
  10. Ю.А. Быковский, В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов (М., Энергоатомиздат, 1991)
  11. M. Sochacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werbovy. Sol. St. Electro., 49, 585 (2005)
  12. А. Милс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
  13. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  14. Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, С.В. Булярский, А.Н. Белов, А.А. Раскин. ФТТ, 55 (3), 562 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.