"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений AIIBVI
Джафаров М.А.1, Насиров Э.Ф.1, Мамедова С.А.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 10 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Исследованы различные отрицательные фотоэффекты в пленках твердых растворов соединений AIIBVI, осажденных из раствора, в зависимости от режима осаждения и термической обработки. Установлен единый электронно-молекулярный механизм впервые обнаруженного в пленках Cd1-xZnxS и CdS1-xSex отрицательного фотоемкостного эффекта и отрицательных медленно релаксирующих фотоэффектов, обусловленных переходом электронов, находящихся в наноразмерном приповерхностном слое, с мелких энергетических уровней центров прилипания на более глубокие с меньшей поляризуемостью и наличием в этих материалах наноразмерных кластеров, играющих роль "резервуара" для неосновных носителей заряда. Предложена модель, позволяющая объяснить основные закономерности отрицательной фотопроводимости в пленках Cd1-xZnxS и Cd1-xZnxSе, осажденных из раствора. Установлено, что отрицательная остаточная проводимость объясняется на основе двойного барьерного рельефа, отрицательная дифференциальная фотопроводимость обусловлена наличием наноразмерных электрических доменов.
  1. А.Н. Серьезнов, Л.H. Степанова, H.A. Филинюк и др. Негатроника (Новосибирск, Наука, 1995)
  2. А.А. Семенов, Д.А. Усанов. Изв. вузов. Электроника, N 4, 34 (2009)
  3. И.А. Каштанкин, Н.Т. Гурин. Письма ЖТФ, 31 (13), 46 (2005)
  4. В.С. Денисов, В.Ф. Захарьяш, В.М. Клеменьтьев, С.В. Чепуров. ПТЭ, N 4, 96 (2007)
  5. М.А. Джафаров. Прикладная физика, N 6, 68 (2000)
  6. М.А. Джафаров. Неорг. матер., 35 (11), 307 (1999)
  7. М.А. Джафаров. Неорг. матер., 34 (9), 1034 (1998)
  8. А.Я. Шик. ФТП, 10 (7), 1359 (1976)
  9. В.В. Митьин. ФТП, 21 (2), 231 (1987)
  10. Ю.Г. Гуревич, В.А. Зозуля, В.Б. Юченко. ФТП, 23 (4), 643 (1989)
  11. А.И. Лукьянченко. ФТП, 23 (5), 882 (1989)
  12. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  13. В.П. Панов, Г.Д. Панова. ФТП, 26 (7), 1351 (1992)
  14. Н.В. Головань, В.А. Смынтына. Фотоэлектроника, N 4, 59 (1991)
  15. П.Н. Ткачук. ФТТ, 44 (12), 114 (2002)
  16. П.Н. Ткачук, В.И. Ткачук, П.Н. Букивский. ФТТ, 46 (5), 804 (2004)
  17. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 52, 11 884 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.