Вышедшие номера
Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений AIIBVI
Джафаров М.А.1, Насиров Э.Ф.1, Мамедова С.А.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 10 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Исследованы различные отрицательные фотоэффекты в пленках твердых растворов соединений AIIBVI, осажденных из раствора, в зависимости от режима осаждения и термической обработки. Установлен единый электронно-молекулярный механизм впервые обнаруженного в пленках Cd1-xZnxS и CdS1-xSex отрицательного фотоемкостного эффекта и отрицательных медленно релаксирующих фотоэффектов, обусловленных переходом электронов, находящихся в наноразмерном приповерхностном слое, с мелких энергетических уровней центров прилипания на более глубокие с меньшей поляризуемостью и наличием в этих материалах наноразмерных кластеров, играющих роль "резервуара" для неосновных носителей заряда. Предложена модель, позволяющая объяснить основные закономерности отрицательной фотопроводимости в пленках Cd1-xZnxS и Cd1-xZnxSе, осажденных из раствора. Установлено, что отрицательная остаточная проводимость объясняется на основе двойного барьерного рельефа, отрицательная дифференциальная фотопроводимость обусловлена наличием наноразмерных электрических доменов.