"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур
Шалдин Ю.В.1, Matyjasik S.2
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2International Laboratory High Magnetic Fields and Low Temperatures, 53-421 Wroclaw, Poland
Поступила в редакцию: 4 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

На нестехиометричных кристаллах CdS n-типа, выращенных из газовой фазы в атмосфере аргона при T=1450 K, проведены комплексные исследования спонтанной поляризации, термостимулированных проводимости и деполяризации в интервале от 4.2 до 300 K. Объектом исследований служили исходные образцы и образцы, поляризованные слабым электрическим полем при T=4.2 K. Поляризация образца приводит к уменьшению проводимости sigma33 вследствие перестройки всего энергетического спектра уровней, связанного с образованием донорно-акцепторных пар. Процессы образования донорно-акцепторных пар вносят свои вклады и в температурные зависимости спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта, характеризуемые возникновением аномалий ниже 15 K и образованием термоэлектрета. Обсуждается роль неконтролируемой примеси кислорода в возникновении катионной проводимости CdS свыше 270 K, связанной с распадом части донорно-акцепторных пар. В области температур от 20 до 250 K величины пирокоэффициента и спонтанной поляризации в пределах ошибки эксперимента не зависят от внешних воздействий и при T=200 K равны: Delta Ps=-(6.1±0.2)·10-4 C/m2, gammas=-(4.1±0.3)·10-5 C/m2 K.
  1. R. Poprawsky, Yu. Shaldin, S. Matyjasik. Phys. Status Solidi A, 90. 167 (1985)
  2. J. Scott. Rev. Mod. Phys., 46 (1), 83 (1974)
  3. Ю.В. Шалдин, А.А. Буш, S. Matyjasik. Кристаллография, 52 (1), 125 (2007)
  4. J. Schouten. Tensor analysis for physicists (Clarendon Press, Oxfordm 1951)
  5. Ю.В. Шалдин, С. Матыясик, М.Х. Рабаданов. Кристаллография, 48 (2), 347 (2003)
  6. S. Abrahams, E. Keve. Ferroelectrics, 2, 129 (1971)
  7. L. Mair by Silva, Z. Darnea. Acta Cryst., A, 31, 201 (1974)
  8. Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. Основы кристаллофизики (М., Наука, 1979)
  9. N. Mott, R. Guerney. Electronic processes in ionic crystals (Oxford, 1948)
  10. W. Minkus. Phys. Rev., 138 (4A), A1277 (1963)
  11. Н.Д. Гаврилова, И.Б. Кобяков, В.К. Новик, А.В. Солодухин. ЖТФ, 3, 631 (1980)
  12. T. Taguchi, V. Raj. Prog. Cryst. Crowth and Characterization, 6 (2), 103 (1983)
  13. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман (М., Наука, 1986)
  14. Ю.В. Шалдин, S. Matyjasik. ФТП, 45 (9), 1159 (2011)
  15. Ю.В. Шалдин, S. Matyjasik, А.А. Давыдов, В.Н. Жаворонков. ФТП, 47, 1200 (2013)
  16. A.A. Давыдов, В.Н. Ермолов, С.В. Неустроев, Л.П. Павлова Неорг. матер., 28 (1), 42 (1992)
  17. Ф. Крёгер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) гл. XIII
  18. С. Bucci, R. Fieshi, G. Guidi. Phys. Rev., 148 (2), 816 (1966)
  19. Yu. Shaldin, A. Bush, S. Matyjasik, M. Ch. Pabadanov Cryst. Report., 50, 836 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.