"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства МОП диодов In/TiO2/p-CdTe
Брус В.В.1,2, Илащук М.И.1, Орлецкий И.Г.1, Марьянчук П.Д.1, Ульяницкий К.С.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Впервые изготовлены МОП диоды In/TiO2/p-CdTe с помощью дешевого метода спрей-пиролиза, которые имели коэффициент выпрямления K=6·103 при внешнем смещении 2 В. Установлено, что доминирующим механизмом токопереноса в исследуемых МОП структурах при прямом и обратном напряжениях выступают туннельно-рекомбинационные процессы при участии энергетических уровней с глубиной залегания 0.25 эВ. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП диодов In/TiO2/p-CdTe свидетельствуют о резком уменьшении сопротивления высокоомного слоя TiО2 при прямом смещении, что обусловлено соотношением энергетических параметров компонентов исследуемой МОП структуры.
  1. T.M. Razikov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadyaya. Sol. Energy, 85, 1580 (2011)
  2. Л.А. Косяченко. ФТП, 40, 730 (2006)
  3. A. Romeo, G.S. Khrypunov, F. Kurdesau, M. Arnold, D.L. Batzner, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 3407 (2006)
  4. B. Fraboni, A. Cavallini, W. Dusi. Nucl. Sci. (IEEE), 51, 1209 (2004)
  5. N. Abeeb, I.V. Kretsu, D.A. Sherban, A.V. Simashkevich, K.D. Suskevich. Sol. Energy Mater., 15, 9 (1987)
  6. A.M. Mancini, P. Pierini, A. Valentini, L. Vasanelli. Thin Solid Films, 124, 85 (1985)
  7. G. Wary, T. Kachary, A. Rahman. Int. J. Thermophysics, 27, 332 (2006)
  8. V. Consonni, G. Rey, J. Bonaime, N. Karst, B. Doisneau, H. Roussel, S. Renet, D. Bellet. Appl. Phys. Lett., 98, 111 906 (2011)
  9. S. Tiefenbacher, S. Petternkofer, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 91, 1984 (2002)
  10. K. Ernst, A. Belaidi, R. Konenkamp. Semicond. Sci. Technol., 18, 475 (2003)
  11. A. Belaidi, R. Bayon, L. Dloczik, K. Ernst, M.C. Lux-Steiner, R. Konenkamp. Thin Solid Films, 421, 488 (2003)
  12. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
  13. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
  14. J.P. Ponpon. Solid-State Electon., 28, 689 (1985)
  15. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (New Jersey, Wiley, 2007)
  16. A.R. Riben, D.L. Feucht. Solid-State Electron., 9, 1055 (1966)
  17. A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
  18. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 34, 1316 (2000)
  19. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 113 (2000)
  20. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
  21. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.