"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора
Каримов А.В.1, Ёдгорова Д.М.1, Абдулхаев О.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Приведены типичные данные параметров исследуемых образцов полевых транзисторов с длинным каналом, результаты измерений их функциональных характеристик, а также рассмотрены возможные распределения подвижности носителей заряда по толщине канала. Проведен теоретический анализ вольт-амперных характеристик длинноканальных полевых транзисторов с произвольным профилем легирования и с градиентом подвижности носителей заряда, а также с учетом насыщения скорости носителей заряда.
  1. А.В. Каримов. Электрон. техн., сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 5, 93 (1990)
  2. A.N. Aleshin, J.Y. Lee, S.W. Chu, J.S. Kim, Y.W. Park. Appl. Phys. Lett., 84 (26), 5383 (2004)
  3. R.R. Bokemuehl. IEEE Trans. Electron. Dev., N 10, 31 (1963)
  4. С.Б. Бурзин, Н.В. Гуминов, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (4), 243 (2007)
  5. С.Б. Бурзин, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (5), 472 (2007)
  6. Патент РУз N IAP 04059. А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Х.Н. Бахранов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова, Ш.А. Хайдаров. Расмий ахборотнома, N 2 (2009)
  7. Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, N 6, 47 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.