Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда
Дубицкий И.С.1, Яфясов А.М.1
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет, кафедра электроники твердого тела), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна-Гордона-Фока и Шредингера для соединения кадмий-ртуть-теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.
- E. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 82 (1956)
- P. Lowdin. J. Chem. Phys., 19, 1396 (1951)
- И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках (M., Наука, 1972)
- R. Winkler. Spin-orbit coupling effects in two-dimensional electron and hole systems (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y., 2003)
- Ivo S. Nachev. Physica Scripta, 37, 825 (1988)
- V.F. Radantsev, T.I. Deryabina, G.I. Kulaev, E.L. Rumyantsev. Phys. Rev. B, 53 (23), 15 756 (1996)
- А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- A. Ziegler, U. Rossler. Europhys. Lett., 8 (6), 543 (1989)
- V.F. Radantsev. Semicond. Sci. Technol., 8, 394 (1993)
- A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. The book of abstracts ICSES-9 (Copenhagen, Denmark, 1998)
- J. Chu, A. Sher. Physics and properties of narrow gap semiconductors (Springer Sci., ISBN: 978-0-387-74743-9, 2008)
- J. Chu, A. Sher. Device physics of narrow gap semiconductors. Springer Sci., ISBN: 978-1-4419-1039-4, 2010
- P. Capper. Properties of narrow gap cadmium based compounds. Short run press ltd., England, ISBN 0-85296-880-9, 1994
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- В.Ф. Раданцев. Электронные свойства полупроводниковых наноструктур (Екатеринбург, 2008)
- A. Abrikosov. Sov. Phys. JETP, v. 39, N 4, p. 709 (1974)
- S. Noor Mohammad. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 13, 2685 (1980)
- Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1965)
- Таблицы физических величин. Справочник, под ред. А.М. Кикоина (М., Атомиздат, 1976)
- A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv. Phys. Status Solidi B, 208, 41 (1996)
- G. Hansen, J. Scmidt, T. Casselman. J. Appl. Phys., 53 (5), 7099 (1982)
- M. Malachowski, J. Piotrowski, A. Rogalski. Infr. Phys., 28, 279 (1988)
- И.M. Цидильковский. Зонная структура полупроводников (М., Наука, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук