"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда
Дубицкий И.С.1, Яфясов А.М.1
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет, кафедра электроники твердого тела), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна--Гордона--Фока и Шредингера для соединения кадмий-ртуть-теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.
  1. E. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 82 (1956)
  2. P. Lowdin. J. Chem. Phys., 19, 1396 (1951)
  3. И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках (M., Наука, 1972)
  4. R. Winkler. Spin-orbit coupling effects in two-dimensional electron and hole systems (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y., 2003)
  5. Ivo S. Nachev. Physica Scripta, 37, 825 (1988)
  6. V.F. Radantsev, T.I. Deryabina, G.I. Kulaev, E.L. Rumyantsev. Phys. Rev. B, 53 (23), 15 756 (1996)
  7. А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  8. A. Ziegler, U. Rossler. Europhys. Lett., 8 (6), 543 (1989)
  9. V.F. Radantsev. Semicond. Sci. Technol., 8, 394 (1993)
  10. A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. The book of abstracts ICSES-9 (Copenhagen, Denmark, 1998)
  11. J. Chu, A. Sher. Physics and properties of narrow gap semiconductors (Springer Sci., ISBN: 978-0-387-74743-9, 2008)
  12. J. Chu, A. Sher. Device physics of narrow gap semiconductors. Springer Sci., ISBN: 978-1-4419-1039-4, 2010
  13. P. Capper. Properties of narrow gap cadmium based compounds. Short run press ltd., England, ISBN 0-85296-880-9, 1994
  14. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  15. В.Ф. Раданцев. Электронные свойства полупроводниковых наноструктур (Екатеринбург, 2008)
  16. A. Abrikosov. Sov. Phys. JETP, v. 39, N 4, p. 709 (1974)
  17. S. Noor Mohammad. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 13, 2685 (1980)
  18. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1965)
  19. Таблицы физических величин. Справочник, под ред. А.М. Кикоина (М., Атомиздат, 1976)
  20. A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv. Phys. Status Solidi B, 208, 41 (1996)
  21. G. Hansen, J. Scmidt, T. Casselman. J. Appl. Phys., 53 (5), 7099 (1982)
  22. M. Malachowski, J. Piotrowski, A. Rogalski. Infr. Phys., 28, 279 (1988)
  23. И.M. Цидильковский. Зонная структура полупроводников (М., Наука, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.