Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A

Аксенов М.С.¹, Валишева Н.А.¹, Левцова Т.А.¹, Терещенко О.Е.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 июня 2013 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

PDF версия

Изучены электрофизические характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs(111)A с тонкими анодными слоями различной толщины (7-20 нм) в качестве диэлектрика. Установлено, что окисление InAs во фторсодержащем кислотном электролите приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний и встроенного заряда в анодном слое до величин <2·10¹⁰ см^-2эВ^-1 и ~3·10¹¹ см^-2 соответственно. Сопоставление электрофизических параметров с химическим составом слоев показывает, что улучшение параметров границы раздела фторсодержащий анодный оксид/InAs(111)A обусловлено замещением атомов кислорода фтором в анодных слоях с образованием оксифторидов индия и мышьяка и связей In-F на поверхности InAs.

Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, В.М. Базовкин и др. Сб. ст. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, под ред. С.П. Синицы (Новосибирск, Наука, 2001) с. 10
Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, 655 (1994)
H.D. Trinh, E.Y. Chang, P.W. Wu, Y.Y. Wong, C.T. Chang, Y.F. Hsieh, C.C. Yu, H.Q. Nguyen, Y.C. Lin, K.L. Lin, M.K. Hudait. Appl. Phys. Lett., 97, 042 903 (2010)
C.A. Lin, H.C. Chiu, T.H. Chiang, Y.C. Chang, T.D. Lin, J.Kwoa, W.E. Wangd, J. Dekoster, M. Heyns, M. Hong. J. Cryst. Growth, 323 (1), 99 (2011)
Е.А. Лоскутова, В.Н. Давыдов, Т.Д. Лезина. Микроэлектроника, 14 (2), 134 (1985)
А.А. Широков, Ю.Н. Юсов, И.С. Захаров. Неорг. матер., 20 (7), 1081 (1985)
И.Н. Сорокин, Л.Е. Гатько. Неорг. матер., 21 (4), 537 (1985)
И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.A. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов, А.В. Царенко. Автометрия, 43 (4), 25 (2007)
Н.А. Валишева, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, Т.А. Левцова, З.В. Панова. Микроэлектроника, 2 (99), 38 (2009)
N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256 (19), 5722 (2010)
Н.А. Валишева, О.Е.Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров. ФТП, 46 (4), 569 (2012)
А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, З.В. Панова, В.Г. Половинкин, Л.А. Семенова, Т.А. Левцова, Г.Л. Курышев. Тез. докл. Росс. конф. Фотоника" (Новосибирск, Россия, 22--26 августа 2011) с. 20
I.O. Parm, Y. Rohb, B. Hongb, C.S. Park, J. Yi. Appl. Surf. Sci., 172 (3--4), 295 (2001)
E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell. Syst. Techn. J. 46 (6), 1055 (1967)
L.M. Terman. Sol. St. Electron., 5, 285 (1962)
J. Robertson. Appl. Phys. Lett., 94, 152 104 (2009)
G. Lucovsky, R.S. Bauer. J. Vac. Sc. \& Technol., 17 (5), 946 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель