Вышедшие номера
Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
Аксенов М.С.1, Валишева Н.А.1, Левцова Т.А.1, Терещенко О.Е.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Изучены электрофизические характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs(111)A с тонкими анодными слоями различной толщины (7-20 нм) в качестве диэлектрика. Установлено, что окисление InAs во фторсодержащем кислотном электролите приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний и встроенного заряда в анодном слое до величин <2·1010 см-2эВ-1 и ~3·1011 см-2 соответственно. Сопоставление электрофизических параметров с химическим составом слоев показывает, что улучшение параметров границы раздела фторсодержащий анодный оксид/InAs(111)A обусловлено замещением атомов кислорода фтором в анодных слоях с образованием оксифторидов индия и мышьяка и связей In-F на поверхности InAs.