Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
Аксенов М.С.1, Валишева Н.А.1, Левцова Т.А.1, Терещенко О.Е.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Изучены электрофизические характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs(111)A с тонкими анодными слоями различной толщины (7-20 нм) в качестве диэлектрика. Установлено, что окисление InAs во фторсодержащем кислотном электролите приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний и встроенного заряда в анодном слое до величин <2·1010 см-2эВ-1 и ~3·1011 см-2 соответственно. Сопоставление электрофизических параметров с химическим составом слоев показывает, что улучшение параметров границы раздела фторсодержащий анодный оксид/InAs(111)A обусловлено замещением атомов кислорода фтором в анодных слоях с образованием оксифторидов индия и мышьяка и связей In-F на поверхности InAs.
- Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, В.М. Базовкин и др. Сб. ст. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, под ред. С.П. Синицы (Новосибирск, Наука, 2001) с. 10
- Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, 655 (1994)
- H.D. Trinh, E.Y. Chang, P.W. Wu, Y.Y. Wong, C.T. Chang, Y.F. Hsieh, C.C. Yu, H.Q. Nguyen, Y.C. Lin, K.L. Lin, M.K. Hudait. Appl. Phys. Lett., 97, 042 903 (2010)
- C.A. Lin, H.C. Chiu, T.H. Chiang, Y.C. Chang, T.D. Lin, J.Kwoa, W.E. Wangd, J. Dekoster, M. Heyns, M. Hong. J. Cryst. Growth, 323 (1), 99 (2011)
- Е.А. Лоскутова, В.Н. Давыдов, Т.Д. Лезина. Микроэлектроника, 14 (2), 134 (1985)
- А.А. Широков, Ю.Н. Юсов, И.С. Захаров. Неорг. матер., 20 (7), 1081 (1985)
- И.Н. Сорокин, Л.Е. Гатько. Неорг. матер., 21 (4), 537 (1985)
- И.И. Ли, В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.A. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов, А.В. Царенко. Автометрия, 43 (4), 25 (2007)
- Н.А. Валишева, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, Т.А. Левцова, З.В. Панова. Микроэлектроника, 2 (99), 38 (2009)
- N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256 (19), 5722 (2010)
- Н.А. Валишева, О.Е.Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров. ФТП, 46 (4), 569 (2012)
- А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, З.В. Панова, В.Г. Половинкин, Л.А. Семенова, Т.А. Левцова, Г.Л. Курышев. Тез. докл. Росс. конф. Фотоника" (Новосибирск, Россия, 22--26 августа 2011) с. 20
- I.O. Parm, Y. Rohb, B. Hongb, C.S. Park, J. Yi. Appl. Surf. Sci., 172 (3--4), 295 (2001)
- E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell. Syst. Techn. J. 46 (6), 1055 (1967)
- L.M. Terman. Sol. St. Electron., 5, 285 (1962)
- J. Robertson. Appl. Phys. Lett., 94, 152 104 (2009)
- G. Lucovsky, R.S. Bauer. J. Vac. Sc. \& Technol., 17 (5), 946 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.