"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
Пручкина А.А.1, Николаев Н.С.1, Кривобок В.С.1,2, Багаев В.С.1, Онищенко Е.Е.1, Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Продемонстрировано влияние отжига в жидком Cd при температуре 600oC на спектры фотолюминесценции поликристаллического CdTe, полученного в условиях быстрой кристаллизации. Показано, что перераспределение точечных дефектов в результате отжига полностью подавляет излучение нестандартных акцепторов с энергиями активации ~48, ~98 и ~120 мэВ, присутствовавшeе в спектрах люминесценции исходных кристаллов, и радикально изменяет структуру излучения в районе 1.2-1.35 эВ, которое связано с протяженными дефектами, вызванными двойникованием. В спектрах фотолюминесценции отожженных поликристаллов доминирует излучение экситон-примесных комплексов с участием водородоподобных доноров и акцептора CuCd. Установлена корреляция между концентрацией протяженных дефектов и интенсивностью длинноволнового излучения в районе 0.8-1.2 эВ.
  • T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
  • C. Szeles. Phys. Status Solidi B, 241, 783 (2004).
  • S.P. Albright, J.F. Jordan, B. Ackerman, R.R. Chamberlin. Solar Cells., 27, 77 (1989)
  • A. Morales-Acevedo. Sol. Energy Mater. and Cells., 90, 2213 (2006)
  • N. Amin, K. Sopian, M. Konagai. Sol. Energy Mater. and Solar Cells., 91, 1202 (2007)
  • S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66, 155 211 (2002)
  • S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Statud Solidi B, 229, 305 (2002)
  • Q. Jiang, D.P. Haliday, B.K. Tanner, A.W. Brinkman, B.J. Cantwell, J.T. Mullins, A. Basu. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 012 004 (2009)
  • R. Sorgenfrei, D. Greiffenberg, K.H. Bachem, L. Kirste, A. Zwenger, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 310, 2062 (2008)
  • В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП, 45, 908 (2011)
  • В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ, 53, 1479 (2011)
  • В.С. Багаев, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, М.Л. Скориков, А.А. Шепель. ЖЭТФ, 140, 929 (2011)
  • V. Bagaev, V. Krivibok, Yu. Klevkov, A. Shepel, E. Onishchenko, V. Martovitsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1470 (2010)
  • В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ, 52, 37 (2010)
  • А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000)
  • J. Krustok, J. Madasson, J. Hue. Phys. Status Solidi A, 165, 517 (1998)
  • P.J. Dean. Phys. Status Solidi A, 81, 625 (1984)
  • S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 62, 6944 (2000)
  • S. Neretina, P. Mascher, R.A. Hughes, N. Braidy, W.H. Gong, J.E. Britten, J.S. Preston, N.V. Sochinskii, P. Dippo. Appl. Phys. Lett., 89, 133 101 (2006)
  • A. Carvalho, A.K. Tagantsev, S. Oberg, P.R. Briddon, N. Setter. Phys. Rev. B, 81, 075 215 (2010)
  • S.H. Song, J.F. Wang, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 257, 231 (2003)
  • E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B, 30, 3344 (1984)
  • H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
  • P.J. Dean, P.J. Wright, B. Cockayne. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 3493 (1983)
  • J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41, 12 035 (1990)
  • C.B. Davis, D.D. Allred, A. Reyer-Mena, J. Gonzalez-Hernandez, O. Conzalez, B.C. Hess, W.P. Allred. Phys. Rev. B, 47, 13 363 (1993)
  • V. Babentson, V. Boiko, G.A. Schepelskii, R.B. James, J. Franc, J. Prochazka, P. Hlidek. J. Luminesc., 130, 1425 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.