Вышедшие номера
Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
Пручкина А.А.1, Николаев Н.С.1, Кривобок В.С.1,2, Багаев В.С.1, Онищенко Е.Е.1, Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Продемонстрировано влияние отжига в жидком Cd при температуре 600oC на спектры фотолюминесценции поликристаллического CdTe, полученного в условиях быстрой кристаллизации. Показано, что перераспределение точечных дефектов в результате отжига полностью подавляет излучение нестандартных акцепторов с энергиями активации ~48, ~98 и ~120 мэВ, присутствовавшeе в спектрах люминесценции исходных кристаллов, и радикально изменяет структуру излучения в районе 1.2-1.35 эВ, которое связано с протяженными дефектами, вызванными двойникованием. В спектрах фотолюминесценции отожженных поликристаллов доминирует излучение экситон-примесных комплексов с участием водородоподобных доноров и акцептора CuCd. Установлена корреляция между концентрацией протяженных дефектов и интенсивностью длинноволнового излучения в районе 0.8-1.2 эВ.
  1. T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
  2. C. Szeles. Phys. Status Solidi B, 241, 783 (2004).
  3. S.P. Albright, J.F. Jordan, B. Ackerman, R.R. Chamberlin. Solar Cells., 27, 77 (1989)
  4. A. Morales-Acevedo. Sol. Energy Mater. and Cells., 90, 2213 (2006)
  5. N. Amin, K. Sopian, M. Konagai. Sol. Energy Mater. and Solar Cells., 91, 1202 (2007)
  6. S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66, 155 211 (2002)
  7. S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Statud Solidi B, 229, 305 (2002)
  8. Q. Jiang, D.P. Haliday, B.K. Tanner, A.W. Brinkman, B.J. Cantwell, J.T. Mullins, A. Basu. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 012 004 (2009)
  9. R. Sorgenfrei, D. Greiffenberg, K.H. Bachem, L. Kirste, A. Zwenger, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 310, 2062 (2008)
  10. В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП, 45, 908 (2011)
  11. В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ, 53, 1479 (2011)
  12. В.С. Багаев, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, М.Л. Скориков, А.А. Шепель. ЖЭТФ, 140, 929 (2011)
  13. V. Bagaev, V. Krivibok, Yu. Klevkov, A. Shepel, E. Onishchenko, V. Martovitsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1470 (2010)
  14. В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ, 52, 37 (2010)
  15. А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000)
  16. J. Krustok, J. Madasson, J. Hue. Phys. Status Solidi A, 165, 517 (1998)
  17. P.J. Dean. Phys. Status Solidi A, 81, 625 (1984)
  18. S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 62, 6944 (2000)
  19. S. Neretina, P. Mascher, R.A. Hughes, N. Braidy, W.H. Gong, J.E. Britten, J.S. Preston, N.V. Sochinskii, P. Dippo. Appl. Phys. Lett., 89, 133 101 (2006)
  20. A. Carvalho, A.K. Tagantsev, S. Oberg, P.R. Briddon, N. Setter. Phys. Rev. B, 81, 075 215 (2010)
  21. S.H. Song, J.F. Wang, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 257, 231 (2003)
  22. E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B, 30, 3344 (1984)
  23. H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998)
  24. P.J. Dean, P.J. Wright, B. Cockayne. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 3493 (1983)
  25. J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41, 12 035 (1990)
  26. C.B. Davis, D.D. Allred, A. Reyer-Mena, J. Gonzalez-Hernandez, O. Conzalez, B.C. Hess, W.P. Allred. Phys. Rev. B, 47, 13 363 (1993)
  27. V. Babentson, V. Boiko, G.A. Schepelskii, R.B. James, J. Franc, J. Prochazka, P. Hlidek. J. Luminesc., 130, 1425 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.