"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu1-xZnxInS2
Новосад А.В.1, Божко В.В.1, Давидюк Г.Е.1, Парасюк О.В.1, Герасимик О.Р.1, Вайнорюс Н.2, Сакавичюс А.2, Янонис В.2, Кажукаускас В.2
1Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 28 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов Cu1-xZnxInS2 (x=0-12) n-типа проводимости. Методом рентгеноструктурного анализа изучен механизм образования твердого раствора. Показано, что монокристаллы имеют структуру халькопирита, причем параметры элементарной ячейки зависят от состава раствора. Исследованы температурная зависимость электропроводимости в интервале температур T=27-300 K и спектральное распределение фотопроводимости при T~30 K. В монокристаллах CuInS2-ZnIn2S4 с содержанием ~8 и ~12 мол% ZnIn2S4 обнаружена индуцированная фотопроводимость и исследованы термостимулированные токи.
  1. А.Б. Вербицкий, Я.И. Верцимаха, П.Н. Луцик, С.Л. Студзинский, С. Березнев, Ю. Койс. ФТП, 40 (2), 202 (2006)
  2. Г.С. Сеидли, М.Г. Гусейналиев, Г.И. Исаков. Альтерн. энерг. и экол., 31 (11), 46 (2005)
  3. S.J. Ahn, C.W. Kim, J.H. Yun, J. Gwak, S. Jeong, B.-H. Ryu, K.H. Yoon, J. Phys. Chem. C, 114 (17), 8108 (2010)
  4. L.G. Akselrud, P.Yu. Zavalij, Yu.N. Grin, V.K. Pecharsky, B. Baumgartner, E. Wolfel. Mater. Sci. Forum, 133--136, 335 (1993)
  5. A.F. Hollemann, N. Wiberg. Lehrbuch der anorganischen Chemie (Berlin, Walter de Gruyter, 1995)
  6. O.V. Parasyuk, Z.V. Lavrynyuk, O.F. Zmiy, Y.E. Romanyuk. J. Cryst. Growth, 311 (8), 2381 (2009)
  7. Y.E. Romanyuk, K.M. Yu, W. Walukiewicz, Z.V. Lavrynyuk, V.I. Pekhnyo, O.V. Parasyuk. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 92 (11), 1495 (2008)
  8. В.А. Иванов, И.А. Викторов, В.Ф. Гременок. ЖТФ, 72 (9), 134 (2002)
  9. В.В. Сердюк, Г.Г. Чемересюк, М. Терек. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках (Киев--Одесса, Высш. шк., 1982)
  10. Richard H. Bube. Photoelectronic Properties of Semiconductors (Cambridge University Press, 1992)
  11. Peter T. Landsberg. Recombination in Semiconductors (Cambridge University Press, 1991)
  12. Rohana Garuthara, Ruwan Wijesundara, Withana Siripala. Sol. Energy Mater \& Solar Cells, 79 (3), 331 (2003)
  13. A.W. Verheijen, L.J. Giling, J. Bloem. Mater. Res. Bull., 14 (2), 237 (1979)
  14. H.Y. Ueng, H.L. Hwang. J. Appl. Phys., 62 (2), 434 (1987)
  15. N. Lablou, G. Masse. J. Appl. Phys., 52 (2), 978 (1981)
  16. H.Y. Ueng, H.L. Hwang. J. Phys. Chem. Sol., 51 (1), 11 (1990)
  17. P. Lange, H. Neff, M.L. Fearheiley, K.J. Bachmann. J. Electron. Mater., 14 (6), 667 (1985)
  18. J.J.M. Binsma, L.J. Giling, J. Bloem. J. Luminesc., 27 (1), 35 (1982)
  19. M. Iwai, T. Onishi, K. Abe, Y. Miyoshi, K. Wakita. Матер. Междунар. конф. " Fizika--2005" (Баку, Азербайджан, 2005) N 211, с. 804
  20. H.L. Hwang, L.M. Liu, M.H. Yang, J.S. Chen, J.R. Chen, C.Y. Sun. Sol. Energy Mater., 7 (2), 225 (1982)
  21. B. Tell, J.L. Shay, H. M. Kasper. J. Appl. Phys., 43 (5), 2469 (1972)
  22. J.M. Binsma, L.J. Giling, J. Bloem. J. Cryst. Growth, 50 (2), 429 (1980)
  23. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  24. J. Van Gheluwe, J. Versluys, D. Poelman, J. Verschraegen, M. Burgelman, P. Clauws. Thin Sol. Films, 511--512, 304 (2006)
  25. Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, А.В. Новосад, В.Р. Козер, О.В. Парасюк. Вестн. Волын. нац. ун-та. Физ. науки, N 18, 19 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.