"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур GexSi1-x
Паршин A.C.1, Пьяновская Е.П.1, Пчеляков О.П.2, Михлин Ю.Л.3, Никифоров А.И.2, Тимофеев B.A.2, Есин М.Ю.1
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Двухкомпонентные структуры GexSi1-x (0≤ x≤1) исследованы методами электронной спектроскопии. Атомный состав структур определен из спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов с разными значениями x при энергии первичных электронов в интервале от 200 до 3000 эВ. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Показано, что количественные характеристики этих зависимостей могут быть использованы для определения атомных концентраций элементов данной системы.
  1. W. Cao, M. Masnadi, S. Eger, M. Martinson, Q.-F. Xiao, Y.-F. Hu, J.M. Baribeau J.C. Woicik, A.P. Hitchcock, S.G. Urguhart. Appl. Surf. Sci., 265, 358 (2013)
  2. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. ФТП, 37, 1383 (2003)
  3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Semicond. Sci. Technol. 26, 014 027 (2011)
  4. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  5. Z. Tao, N. Zhan, H. Yang, Y. Ling, Z. Zhong, F. Lu. Appl. Surf. Sci., 255, 3548 (2009)
  6. A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov. Thin Sol. Films, 520, 3319 (2012)
  7. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt, О.М. Горбенко, И.П. Сошников. ФТТ, 47, 29 (2005)
  8. J.-N. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frish, A. Ronda. Phys. Rep., 522, 59 (2013)
  9. A. Ishisaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  10. S. Tougaard. http:// www.quases.com
  11. S. Tougaard, I. Chorkendorff. Phys Rev. B, 35, 6570 (1987)
  12. Л. Фельдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок, пер. с англ. (М., Мир, 1989)
  13. Ю.А. Кухаренко, С.А. Фридрихов. Поверхность. Физика, химия, механика, 1, 43 (1982)
  14. А.С. Паршин, Г.А. Александрова, А.Е. Долбак, О.П. Пчеляков, Б.З. Ольшанецкий, С.Г. Овчинников, С.А. Кущенков. Письма ЖТФ. 34, 41 (2008)
  15. А.С. Паршин, О.П. Пчеляков, А.Е. Долбак, Б.З. Ольшанецкий. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 6, 5 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.