"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура n-TiN/n-Si
Солован М.Н.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 14 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Изготовлены гетероструктуры n-ТiN/n-Si методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурная зависимость высоты потенциального барьера и последовательное сопротивление гетероперехода. Построена энергетическая диаграмма исследуемых гетеропереходов. Оценена концентрация поверхностных состояний гетероперехода, которая составляет 2.67·1013 см-2. Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереходы n-ТiN/n-Si при прямых и обратных смещениях хорошо описываются в рамках туннельной и эмиссионной моделей.
  1. S. Kadelec, J. Musil, J. Vyskocil. Surf. Coat. Technol., 54--55, 287 (1992)
  2. G. Gagnon, J.F. Currie, C. Beique, J.L. Brebner, S.G. Gujrathi, L. Onllet. J. Appl. Phys., 75, 1565 (1994)
  3. T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
  4. C.A.Dimitriadis, J.I. Lee, P. Patsalas, S. Logothetidis, D.H. Tassis. J. Appl. Phys., 85, 4238 (1999)
  5. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
  6. Г.В. Самсонов. Нитриды (Киев, Наук. думка, 1969) с. 133
  7. Г.П. Лучинский. Химия титана (М., Химия, 1971) с. 168
  8. Г.В.Самсонов, И.М. Виницкий. Тугоплавкие соединения (М., Металлургия, 1976)
  9. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
  10. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N. Y., 1983)]
  11. К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокращениями: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N. Y., 1981)]
  12. В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46, 1175 (2012)
  13. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
  14. М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорган. матер., 48, 1154 (2012)
  15. В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
  16. P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
  17. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (New Jersey, Wiley, 2007)
  18. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, в печати (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.