"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами
Ижнин И.И.1, Ижнин А.И.1, Мынбаев К.Д.2,3, Баженов Н.Л.2, Фицыч Е.И.1, Якушев М.В.4, Михайлов Н.Н.4, Варавин В.С.4, Дворецкий С.А.4
1Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Исследована фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, прошедших обработку низкоэнергетическими ионами. Наблюдался коротковолновый сдвиг максимума спектров фотолюминесценции непосредственно после ионной обработки, объясняемый формированием большой концентрации донорных дефектов и эффектом Бурштейна-Мосса. Изменение формы спектров и, в частности, исчезновение линий, связанных с переходами на акцепторные состояния, свидетельствует о том, что данные дефекты формируются при взаимодействии атомов межузельной ртути, вводимых в образец при обработке, с атомами примесей. При прекращении обработки, по мере распада дефектов концентрация электронов снижается, и сдвиг максимума спектра исчезает, но форма линий остаeтся постоянной. Такое поведение спектров люминесценции может быть использовано для диагностики дефектно-примесной структуры CdHgTe.
  1. R. Pal, V. Mittal, R.K. Sharma, P.K. Basu. Defence Sci., 4, 395 (2009)
  2. P. Agnihotri, H.C. Lee. Semicond. Sci. Technol., 17, R11 (2002)
  3. К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
  4. M. Pociask, I.I. Izhnin, E.S. Ilyina, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Acta Phys. Polon. A., 114, 1191 (2008)
  5. И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев. ФТП, 45, 1166 (2011)
  6. B.A. Park, C.A. Musca, J. Antoszewski, J.M. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 36, 913 (2007)
  7. G. Xu, X. Liu, K. Zhang, H. Qiao, J. Jia, X. Li. Proc. SPIE, 8419, 841 912 (2012)
  8. D. Chandra, H.F. Schaake, M.A. Kinch, P.D. Dreiske, T. Teherani, F. Aqariden, D.F. Weirauch, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 34, 864 (2005)
  9. X. Zha, J. Shao, J. Jiang, W.Y. Yang. Appl. Phys. Lett., 90, 201 112 (2007)
  10. M. Pociask, I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 24, 025 031 (2009)
  11. J. Wang, X. Chen, Z. Wang, W. Hu, W. Lu, F. Xu. J. Appl. Phys., 107, 044 513 (2010)
  12. M. Pociask, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, A.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin. Thin Sol. Films, 518, 3879 (2010)
  13. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  14. A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 101, 673 (1990)
  15. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
  16. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, В.А. Мальцева, В.А. Смирнов. ФТП, 15, 1109 (1981)
  17. I.I. Izhnin, G.V. Savitskii, E.I. Fitsych, J. Piotrowski, K.D. Mynbaev. Opto-Electronics Rev., 21, 220 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.