Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования кинетики неравновесных носителей в полупроводнике по среднему значению фотопроводимости при периодическом оптическом возбуждении
1Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия 
Поступила в редакцию: 13 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Проведены теоретические и экспериментальные исследования среднего значения неравновесной концентрации свободных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении. Обнаружена зависимость среднего значения концентрации свободных носителей (средней запасенной энергии) от частоты модуляции возбуждающего излучения при постоянной средней интенсивности возбуждения. Установлены закономерности поведения среднего значения фотопроводимости от частоты модуляции возбуждающего излучения в зависимости от закона рекомбинации. Предложен новый метод определения закона рекомбинации в полупроводнике, не зависящий в ряде случаев от формы импульсов света. Полученные выводы могут быть использованы для изучения релаксационных процессов другой природы.
- В.Е. Лашкарёв, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотополупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
- Б.Н. Денисов. Письма ЖТФ, 34, (2), 1 (2008)
- Г.К. Корн, Т.К. Корн. Справочник по математике (М., Наука, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
