"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe
Калинина Е.В.1, Чучвага Н.А.1, Богданова Е.В.1, Стрельчук А.М.1, Шустов Д.Б.1, Заморянская М.В.1, Скуратов В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Cтруктуры с ионно-легированными алюминием p+-n-переходами, сформированными в CVD эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 26 мкм с концентрацией нескомпенсированных доноров Nd-Na=(1-3)·1015 см-3, облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4·109-1·1011 см-2 при температурах 25 и 500oC. Затем исходные и облученные структуры термически отжигались при температуре 500oC в течение 30 мин. Исходные, облученные и отожженные образцы исследовались методами катодолюминесценции, в том числе локальной катодолюминесценции на сколе структур, а также электрическими методиками. При облучении был выявлен эффект проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Облучение структур при 500oC сопровождалось "динамическим отжигом" некоторых низкотемпературных радиационных дефектов, что увеличивает радиационный ресурс 4H-SiC приборов, работающих при повышенных температурах.
  1. F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel, M.K. Das, S.-H. Ryu, A.R. Agarwal. IEEE Trans Nucl. Sci., 7, 4575 (2004)
  2. E.V. Kalinina, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 26, 4 (2011)
  3. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
  4. S.G. Sridhara, D.G. Nizhner, R.P. Devaty, W.J. Choyke, T. Dalibor, G. Pensl, T. Kimoto. Mater. Sci. Forum, 264--268, 493 (1998)
  5. E.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  6. А.И. Гирка, А.Ю. Дидык, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин, В.Г. Шмаровоз. Письма ЖТФ, 15, 12 (1989)
  7. А.И. Гирка, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, В.М. Осадчиев, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ЖЭТФ, 97, 578 (1990)
  8. I. Lhermitte-Sebire, J.L. Chermant, M. Levalois, E. Paumier. J. Vicens. Rad. Eff. Def. Solids, 126, 173 (1993)
  9. I. Lhermitte-Sebire, J. Vicens, J.L. Chermant, M. Levalois, E. Paumier. Phil. Mag. A, 69, 237 (1994)
  10. Е.В. Калинина, В.А. Скуратов, А.А. Ситникова, Е.И. Колесникова, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 41, 392 (2007)
  11. L. Storasta, F.H.C. Carisson, S.G. Shidhara, A. Aberg, J.P. Bergman, A. Hallen, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 353--356, 431 (2001)
  12. S.B. Orlinski, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B, 67, 125 207 (2003)
  13. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38, 1223 (2004)
  14. M. Levalois, I. Lhermitte-Sebire, P. Marie, E. Paumier, J. Vicens. Nucl. Instr. Meth. B, 107, 239 (1996)
  15. S. Sorieul, J.-M. Costantini, L. Gosmain, G. Calas, J.-J. Grob, L. Thome. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 8493 (2006)
  16. W.J. Weber, L.M. Wang, N. Yu. Nucl. Instr. Meth. B, 116, 322 (1996)
  17. W.J. Weber, N. Yu, L.M. Wang, N.J. Hess. J. Nucl. Mater., 244, 528 (1997)
  18. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Ad s, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
  19. М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. ПТЭ, 3, 1 (2004)
  20. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
  21. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  22. Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
  23. В.Г. Одинг, Ю.А. Водаков, Е.В.Калинина, Е.Н. Мохов, К.Д. Демаков, В.Г. Cтолярова, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 18, 700 (1984)
  24. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
  25. Н.И. Морозов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 17, 838 (1983)
  26. П.В. Павлов, Ю.А. Семин, В.Д. Скупов. ФТП, 20, 503 (1986)
  27. E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Sol. St. Phenomena, 131--133, 53 (2008)
  28. E.V. Kalinina, M.V. Zamoryanskaya, E.V. Kolesnikova, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 615--617, 473 (2009)
  29. D.B. Shustov, E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, V.A. Skuratov, M.V. Zamoryanskaya. Sol. St. Phenomena, 156--158, 401 (2010)
  30. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Нижегор. ун-т, 2002) ч. 1, гл. 3, с. 158

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.