Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

Европейцев Е.А.¹, Климко Г.В.¹, Комиссарова Т.А.¹, Седова И.В.¹, Сорокин С.В.¹, Гронин С.В.¹, Казанцев Д.Ю.¹, Бер Б.Я.¹, Иванов С.В.¹, Торопов А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур А^IIIВ^V/А^IIВ^VI:Mn с высокой концентрацией дырок в двумерном канале AlGaAs:Be/GaAs/AlGaAs, расположенном в непосредственной близости от гетеровалентного интерфейса AlGaAs/Zn(Mn)Se. Несмотря на снижение концентрации дырок в GaAs-канале при уменьшении расстояния между каналом и гетеровалентным интерфейсом, концентрация дырок достигает 1.5·10¹³ см^-2 при температуре 300 K даже при минимальном расстоянии 1.2 нм. С помощью глубинного профилирования методом динамической масс-спектроскопии вторичных ионов подтверждена обратная диффузия Mn из ZnMnSe в А^IIIВ^V часть. Сочетание высокой концентрации дырок и наличия магнитных ионов марганца в GaAs-канале проводимости определяет интерес к разработанным структурам как возможным объектам исследования эффектов магнитного упорядочения в гетерогенных полупроводниковых системах.

K. Olejnik, M.H.S. Owen, V. Novak, J. Mav sek, A.C. Irvine, J. Wunderlich, T. Jungwirth. Phys. Rev. B, 78, 054 403 (2008)
M. Wang, R.P. Campion, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Appl. Phys. Lett., 93, 132 103 (2008)
T. Dietl1, H. Ohno, F. Matsukura1, J. Cibert, D. Ferrand. Science, 287, 1019 (2000)
D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno. Appl. Phys. Lett., 82, 3020 (2003)
O. Proselkov, D. Sztenkiel, W. Stefanowicz, M. Aleszkiewicz, J. Sadowski, T. Dietl, M. Sawicki. Appl. Phys. Lett., 100, 262 405 (2012)
Ahsan M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241 308 (2003)
Koji Onomitsua, Hideo Fukui, Takashi Maeda, Yoshiro Hirayama, Yoshiji Horikoshi. J. Cryst. Growth, 278, 699 (2005)
A.A. Toropov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, Ya.V. Terent'ev, E.L. Ivchenko, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 71, 195 312 (2005)
A.A. Toropov, Ya.V. Terent'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, T. Koyama, K. Nishibayashi, A. Murayama, Y. Oka, A. Golnik, J.A. Gaj. Phys. Rev. B, 77, 235 310 (2008)
N. Chand, R. Fischer, J. Klem, T. Henderson, P. Pearah, W.T. Masselink, Y.C. Chang, H. Morko c. JVSTB, 3, 644 (1985)
A.C. Ferreira, P.O. Holtz, B.E. Sernelius, I. Buyanova, B. Monemar, O. Mauritz, U. Ekenberg, M. Sundaram, K. Campman, J.L. Merz, A.C. Gossard. Phys Rev B, 54 (23), 16 989 (1996)
A.A. Toropov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, Ya.V. Terent'ev, E.L. Ivchenko, D.N. Lykov, S.V. Ivanov, J.P. Bergman, B. Monemar. Phys. Status Solidi B, 243, 819 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель