Вышедшие номера
Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
Европейцев Е.А.1, Климко Г.В.1, Комиссарова Т.А.1, Седова И.В.1, Сорокин С.В.1, Гронин С.В.1, Казанцев Д.Ю.1, Бер Б.Я.1, Иванов С.В.1, Торопов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур АIIIВVIIВVI:Mn с высокой концентрацией дырок в двумерном канале AlGaAs:Be/GaAs/AlGaAs, расположенном в непосредственной близости от гетеровалентного интерфейса AlGaAs/Zn(Mn)Se. Несмотря на снижение концентрации дырок в GaAs-канале при уменьшении расстояния между каналом и гетеровалентным интерфейсом, концентрация дырок достигает 1.5·1013 см-2 при температуре 300 K даже при минимальном расстоянии 1.2 нм. С помощью глубинного профилирования методом динамической масс-спектроскопии вторичных ионов подтверждена обратная диффузия Mn из ZnMnSe в АIIIВV часть. Сочетание высокой концентрации дырок и наличия магнитных ионов марганца в GaAs-канале проводимости определяет интерес к разработанным структурам как возможным объектам исследования эффектов магнитного упорядочения в гетерогенных полупроводниковых системах.