"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1-xAs1-yPy)1-zSiz, полученных методом MOCVD
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Леньшин А.С.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Prutskij Tatiana3, Leiste Harald4, Rinke Monika4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Col San Miguel Huyeotlipan, Puebla, Mexico
4Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов AlxGa1-xAs, полученные в области составов с x~0.20 - 0.50 и легированные в высоких концентрациях атомами фосфора и кремния. Использование методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показало, что выращенные эпитаксиальные пленки представляют собой пятикомпонентные твердые растворы (AlxGa1-xAs1-yPy)1-zSiz.
  1. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998)
  2. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, пер. с англ. под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., Мир, 1989)
  3. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)
  4. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий и др. ФТП, 46 (10), 1344 (2012)
  5. А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая и др. Квант. электрон., 41 (1), 15 (2012)
  6. Materials Issues For Vcsel Operation and Reliability / Degree of Doctor of Philosophy in Materials Science and Engineering / David Todd Mathes. August 2002
  7. В.И. Борисов, В.А. Сабликов, И.В. Борисова, А.И. Чмиль. ФТП, 33 (1), 105 (1999)
  8. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens Matter., 405, 22, 15, 4607--4614 (2010)
  9. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45 (4), 481 (2011)
  10. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  11. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci. 267, 181 (2013)
  12. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46 (6), 719 (2012)
  13. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  14. W. Hayes, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N. Y., 1978)
  15. B. Jusserand, J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
  16. D.J. Lockwood, Z.R. Wasilewski. Phys. Rev. B, 70, 155 202 (2004)
  17. D.P. Bour, J.R. Shealy, A. Ksendzov, Fred Pollak. J. Appl. Phys., 64, 6456 (1988)
  18. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) vol. 2, p. 1
  19. S. Laref, S. Mec-abih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Physica B, 396, 169 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.