"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование и отжиг радиационных дефектов в пленках p-Pb0.76Sn0.24Te при протонном облучении
Фреик Д.М.1, Салий Я.П.1, Рувинский М.А.1, Горичок И.Я.1, Фреик А.Д.1, Добровольская А.М.1
1Иваново-Франковский педагогический институт им. В.С. Стефаника,, Иваново-Франковск, Украина
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Приведены результаты исследования протонного облучения и изохронного отжига пленок p-Pb0.76Sn0.24Te. Из экспериментальных данных определен параметр процесса отжига --- энергия активации Ea=0.34 эВ. Показано, что процесс отжига подчиняется кинетике первого порядка. Сделано предположение, что при облучении френкелевские пары, частично рекомбинировав, образуют комплексы дефектов, которые при отжиге диссоциируют, а составляющие дефектов мигрируют до момента их аннигиляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.