"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотостимулированное изменение положения ионов Mn2+ в кристаллической решетке селенида свинца
Громовой Ю.С.1, Кадышев С.К.1, Пляцко С.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Исследованы поведение примеси Мn в PbSe и изменения электрофизических свойств и электронного парамагнитного резонанса монокристаллов PbSe : Мn, индуцированных лазерным излучением в области прозрачности матрицы PbSe. Показано, что примесь Мn в исходных кристаллах находится в зарядовом состоянии Мn2+ и располагается преимущественно в междоузлиях решетки PbSe. При взаимодействии PbSe и PbSe : Мn с ИК лазерным излучением (homega<Eg) происходят изменение концентрации носителей тока, увеличение их подвижности и распределение ионов Мn2+ по узлам металлической подрешетки. Определены константы спин-гамильтониана междоузельного и узельного Мn в решетке PbSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.