"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам
Авруцкий И.А.1, Осауленко О.П.1, Плотниченко В.Г.1, Пырков Ю.Н.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Показано, что измерения интенсивности пика фотоотражения и его спектрального положения при сканировании по образцу могут быть использованы для определения неоднородности квантовых ям InGaAs/GaAs по ширине и составу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.