Сообщается о результатах по исследованию с помощью вольт-фарадных измерений и метода DLTS процессов деградации лазерных двойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с раздельным ограничением и с квантовой ямой, выращенных методом МОС гидридной эпитаксии. Исследовалось два типа лазерных структур: I тип - с p-n-переходом, расположенным вблизи границы p-Al_0.5Ga_0.5As/n-Al_0.3Ga_0.7As, и с квантовой ямой, не попадающей в слой объемного заряда при напряжении обратного смещения V₀=0, и II тип - с квантовой ямой, расположенной в слое объемного заряда при V₀=0. Установлено, что основным механизмом, приводящим к деградации структур I и II типа, является процесс рекомбинационно-стимулированного переползания дислокаций, связанный с поглощением точечных дефектов, расположенных на гетерогранице. Процесс переползания дислокаций сопровождается в структурах I типа генерацией дефектов As_Ga и V_Ga, а в структурах II типа - только V_GA. В структуре II типа, по-видимому, наблюдается переползание дислокаций со стороны p-эмиттера в n-волновод, сопровождающееся генерацией дефекта ME5, концентрация которого уменьшается по мере движения дислокации. При переползании дислокаций происходит также и генерация глубоких состояний в квантовой яме. В структурах I типа, по-видимому, процесс переползания дислокаций идет как со стороны n-, так и со стороны p-эмиттера, что в конечном итоге приводит к деградации лазера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.