"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой
Соболев М.М.1, Гитцович А.В.1, Папенцев М.И.1, Кочнев И.В.1, Явич Б.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Сообщается о результатах по исследованию с помощью вольт-фарадных измерений и метода DLTS процессов деградации лазерных двойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с раздельным ограничением и с квантовой ямой, выращенных методом МОС гидридной эпитаксии. Исследовалось два типа лазерных структур: I тип --- с p-n-переходом, расположенным вблизи границы p-Al0.5Ga0.5As/n-Al0.3Ga0.7As, и с квантовой ямой, не попадающей в слой объемного заряда при напряжении обратного смещения V0=0, и II тип --- с квантовой ямой, расположенной в слое объемного заряда при V0=0. Установлено, что основным механизмом, приводящим к деградации структур I и II типа, является процесс рекомбинационно-стимулированного переползания дислокаций, связанный с поглощением точечных дефектов, расположенных на гетерогранице. Процесс переползания дислокаций сопровождается в структурах I типа генерацией дефектов AsGa и VGa, а в структурах II типа --- только VGA. В структуре II типа, по-видимому, наблюдается переползание дислокаций со стороны p-эмиттера в n-волновод, сопровождающееся генерацией дефекта ME5, концентрация которого уменьшается по мере движения дислокации. При переползании дислокаций происходит также и генерация глубоких состояний в квантовой яме. В структурах I типа, по-видимому, процесс переползания дислокаций идет как со стороны n-, так и со стороны p-эмиттера, что в конечном итоге приводит к деградации лазера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.