"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О корреляционном механизме двухуровневой рекомбинации в gamma, e-облученнжом кремнии
Дикман С.М.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Предложена феноменологическая теория корреляционного механизма рекомбинации. В отличие от модели Шокли-Рида рекомбинационный центр рассмотрен в виде двухуровневой системы, в которой положение нижнего дырочного уровня зависит от заселенности верхнего электронного. Этот механизм позволяет объяснить большое сечение захвата дырок A-центром (радиационный дефект с уровнем Ec-0.17 эВ) в процессе многофононной рекомбинации носителей заряда. Получает объяснение также наличие в спектре люминесценции узкой линии, отвечающей внутреннему переходу на A-центре между двумя связанными состояниями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.