Проведена количественная оценка изменений в составе ансамбля собственных точечных дефектов в эпитаксиальных слоях GaSb, выращиваемых из висмутовых растворов. Показано, что замена галлиевого растворителя висмутовым при жидкофазной эпитаксии приводит к снижению в антимониде галлия концентрации вакансий сурьмы (V_Sb) и "антиструктурных" дефектов типа GaSb и возрастанию концентрации вакансий галлия (V_Ga). Указанные изменения наиболее существенны при температурах эпитаксии ниже ~450^oC. С учетом полученных расчетных данных и уравнения электронейтральности оценено поведение амфотерной примеси олова в эпитаксиальных слоях GaSb, выращенных из висмутовых растворов. Определены концентрации олова, приводящие к инверсии типа проводимости эпитаксиальных слоев. В соответствии с расчетом уровень легирования оловом, необходимый для инверсии, снижается с понижением температуры кристаллизации. Обсуждаются результаты экспериментальных исследований электрических свойств и низкотемпературных (4.2 K) спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi, Sn>, находящиеся в хорошем согласии с результатами расчетов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.