"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесные состояния In в GeTe
Березин А.В., Житинская М.К., Немов С.А., Черник И.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

Изучены электрофизические свойства образцов Ge1-xInxTe1+y с содержанием примеси индия 0.02=< x=<0.10 и избытком теллура 0=< y=<0.05. Исследовано нетривиальное легирующее действие примеси индия в теллуриде германия. Обнаружено сильное влияние степени легирования In на вид температурной зависимости электропроводности. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует об образовании в валентной зоне GeTe<In> квазилокального резонансного уровня In в области энергий Ферми, соответствующих концентрациям дырок (3/4)·1020 см-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.