"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Статические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si : H
Греков Е.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1992 г.

Рассчитываются статические характеристики тонкопленочного полевого транзистора на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H). Распределение плотности локализованных состояний в области хвоста зоны проводимости в a-Si : H принимается в виде экспоненты с последующим линейным изменением. Получены аналитические выражения для характеристик, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.