"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об акцепторно-донорных свойствах дислокаций в полупроводниках p-типа
Шикина Ю.В., Шикин В.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Предложена модель дислокационного спектра электронов, объясняющая влияние дислокаций на свойства полупроводников p-типа. Модель содержит четыре параметра: положения акцепторного Ea и донорного Ed уровней в запрещенной зоне полупроводника, а также их емкости Ca и Cd. Дано обоснование использования этих параметров и определены с помощью имеющихся экспериментов их значения для деформированного p-германия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.