В монокристаллах n-Ge с ростовыми дислокациями обнаружена корреляция между пиком DLTS-спектра, связываемого с вакансионно-кислородными комплексами с донорными уровнями E_c-0.21 эВ, и плотностью микродефектов, выявляемых методом селективного травления. Показано, что скопления этих комплексов на дислокациях и в микродефектах приводят к электрической неоднородности кристалла и к избыточным проводимости и емкости исследуемых диодов Шоттки Au-n-Ge. Обсуждается механизм формирования аномальных DLTS-спектров. Сделано заключение, что скопление кислородных комплексов в котрелловской атмосфере дислокаций приводит к компенсации мелких акцепторных состояний, ассоциирующихся с дислокациями. Высказаны предположения об участии вакансионно-кислородных комплексов с донорными уровнями E_c-0.21 эВ в дислокационной фотолюминесценции. Предполагается, что донорно-акцепторное взаимодействие в расщепленных дислокациях обусловливает наблюдавшиеся в Ge серии бесфононных линий дислокационной фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.