С помощью методики нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней на барьерах Шоттки и отжигов в диапазоне температур 100-340^oC исследованы радиационные дефекты, вводимые alpha-частицами (alpha-РД) изотопного источника на основе ²¹⁰Po в p- и n-Si. В p-Si обнаружены центры с уровнями E_v+0.20, E_v+0.24, E_v+0.32 и E_v+0.42 эВ, а в n-Si с уровнями E_c-0.18, E_c-0.23, E_c-0.30 и E_c-0.37 эВ. Изучено влияние отжига в диапазоне температур 200-500^oC на обратные токи n⁺-p- и p⁺-n-переходов. Показано, что энергии активации обратных токов n⁺-p- и p⁺-n-переходов коррелируют с энергетическими уровнями доминирующих генерационнорекомбинационных центров, обусловленных alpha-РД, в p- и n-Si соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.