"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние радиационных дефектов, введенных alpha-частицами, на обратные токи кремниевых p-n-переходов
Александров О.В., Шевченко Б.Н., Матханова И.П., Каменец А.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

С помощью методики нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней на барьерах Шоттки и отжигов в диапазоне температур 100-340oC исследованы радиационные дефекты, вводимые alpha-частицами (alpha-РД) изотопного источника на основе 210Po в p- и n-Si. В p-Si обнаружены центры с уровнями Ev+0.20, Ev+0.24, Ev+0.32 и Ev+0.42 эВ, а в n-Si с уровнями Ec-0.18, Ec-0.23, Ec-0.30 и Ec-0.37 эВ. Изучено влияние отжига в диапазоне температур 200-500oC на обратные токи n+-p- и p+-n-переходов. Показано, что энергии активации обратных токов n+-p- и p+-n-переходов коррелируют с энергетическими уровнями доминирующих генерационнорекомбинационных центров, обусловленных alpha-РД, в p- и n-Si соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.