"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства p-CdTe
Байдуллаева А., Булах Б.М., Даулетмуратов Б.К., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Мозоль П.Е., Гарягдыев Г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследовано влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера с плотностью мощности ниже порогов плавления, возгонки и разрушения на плотность дислокаций, электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов p-CdTe. Показано, что уменьшение проводимости кристаллов после лазерного облучения сопровождается уменьшением величины фототока и интенсивности фотолюминесценции и обусловлено размножениями дислокаций и стеканием на них акцепторов LiCd и NaCd из объема.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.