Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
Гергель В.А.1, Лукьянченко А.И.1, Соляков А.Н.1, Ильичев Э.А.1, Полторацкий Э.А.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.