Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
Дроздова И.А.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Шульга Е.П.1, Шейнкман М.К.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.
Показано, что структура, ответственная за аномальную температурную зависимость проводимости на грани (0001) кристаллов CdS, отсутствует на свежесколотой поверхности и образуется в процессе выдерживания сколотого кристалла как на воздухе, так и в атмосфере инертного газа. Процесс образования структуры является термоактивируемым. Образование структуры начинается, по-видимому, с появления отдельных островков, которые постепенно разрастаются вширь и вглубь и затем перекрываются, образуя сплошной слой.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.