"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализованных состояний
Акимов А.В.1, Жиляев Ю.В.1, Криволапчук В.В.1, Полетаев Н.К.1, Шофман В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

В n-GaAs исследована медленная (микросекундная) компонента кинетики фотолюминесценции линии, отвечающей рекомбинации электрона на мелком доноре и дырки валентной зоны Do, h. Показано, что кинетика обусловлена выбросом дырок в валентную зону из локализованных состояний. Выброс осуществляется в результате оже-рекомбинации с участием двух дырок, захваченных на глубокий центр.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.