Экспериментально исследована сильная зарядовая связь по обогащенному основными носителями слою на границе раздела Si-SiO₂. На основе экспериментальных данных показано, что обогащенный слой отделен от нейтрального объема полупроводника p-типа потенциальным барьером (областью обеднения). Поверхностная подвижность носителей заряда в таком слое при температурах 200-300 К ограничена рассеянием на поверхностных фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.