"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
Сысоев Б.И.1, Антюшин В.Ф.1, Кипнис М.М.1
1Воронежский технологический институт
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Экспериментально исследована сильная зарядовая связь по обогащенному основными носителями слою на границе раздела Si-SiO2. На основе экспериментальных данных показано, что обогащенный слой отделен от нейтрального объема полупроводника p-типа потенциальным барьером (областью обеднения). Поверхностная подвижность носителей заряда в таком слое при температурах 200-300 К ограничена рассеянием на поверхностных фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.