"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства границы раздела InAs-тонкий полуизолирующий слой In2S3
Сысоев Б.И.1, Агапов Б.Л.1, Безрядин Н.Н.1, Буданов А.В.1, Прокопова Т.В.1, Фетисова С.В.1
1Воронежский технологический институт
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Методом рентгеноспектрального микроанализа изучено распределение основных компонентов соединений в пограничной области гетероструктуры In2S3-InAs. Слои In2S3 получали методом замещения мышьяка на серу в приповерхностной области арсенида индия. Доказано существование переходной области (П') в гетеросистеме. Особенности вольт-фарадных характеристик объяснены в рамках модели МДП'П структуры участием в экранировании внешнего электрического ноля свободных носителей заряда в слое П'. Показана возможность оценки параметров переходной области в гетероструктурах методом C-V-характеристик.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.