Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd-GaAs, подвергнутых импульсному лазерному отжигу. Отжиг осуществлялся лазерным излучением с длиной волны 1.06 мкм и длительностью 10^-3 с в диапазоне энергий 20/ 60 Дж/см². Действие импульсного лазерного отжига приводило к плавному переходу от термоэмиссионного механизма переноса носителей заряда через барьер к термополевому. Увеличение туннельной составляющей прямого тока и понижение эффективной высоты барьера вызваны появлением тонкого высоколегированного слоя GaAs на границе раздела в результате лазерного отжига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.