"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу
Воронков В.П.1, Вяткин А.П.1, Кулешов С.М.1, Муленков С.Ю.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd-GaAs, подвергнутых импульсному лазерному отжигу. Отжиг осуществлялся лазерным излучением с длиной волны 1.06 мкм и длительностью 10-3 с в диапазоне энергий 20/ 60 Дж/см2. Действие импульсного лазерного отжига приводило к плавному переходу от термоэмиссионного механизма переноса носителей заряда через барьер к термополевому. Увеличение туннельной составляющей прямого тока и понижение эффективной высоты барьера вызваны появлением тонкого высоколегированного слоя GaAs на границе раздела в результате лазерного отжига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.