Обнаружена и исследована акустическая эмиссия (АЭ), возникающая в транзисторах, работающих в импульсных режимах и температурах, близких к комнатным. Установлено, что АЭ наблюдается только в момент нарастания или спадания входного импульса прямой полярности, инжектирующего в базу неосновные носители заряда. Зависимости интенсивности АЭ от V_кэ и J_б близки линейным в области малых величин V_кэ, J_б и стремятся к насыщению с ростом тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. Анализ экспериментальных результатов и численные оценки показали, что из двух возможных механизмов АЭ (термомеханического и полевого) предпочтение следует отдать полевому.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.