"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектры собственных дефектов с отрицательной энергией корреляции в легированных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Используя экспериментальные данные, построены спектры собственных дефектов с отрицательной эффективной корреляционной энергией (D-центры) в термически напыленных пленках As2Se3, легированных Bi, и в пленках, полученных высокочастотным сораспылением As2Se3 с Ni. Спектры оказались существенно немонотонными. В пленках As2Se3<Bi> пик плотности состояний D-центров расположен в середине запрещенной зоны, как и в чистом As2Se3. Однако его мощность значительно больше, чем в As2Se3, так что концентрация D-центров совпадает с концентрацией электрически активных примесных атомов. В As2Se3<Ni> пик плотности состояний D-центров находится вблизи акцепторного уровня. Предложена проверка выводов работы с помощью измерения спектральной зависимости фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.