"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовый перенос в delta-легированных слоях GaAs
Гусев Г.М.1, Квон З.Д.1, Лубышев Д.И.1, Мигаль В.П.1, Погосов А.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Исследованы транспортные свойства delta-легированных слоев GaAs в широком диапазоне концентраций электронов. Из анализа осцилляций Шубникова--де-Гааза найдены заселенности подзон размерного квантования, которые согласуются с численным расчетом зонного спектра. Анализ ОМС показал, что время релаксации фазы волновой функции электронов определяется для большинства образцов неупругими электронными столкновениями с малой передачей энергии. Исключение составляют образцы с большой концентрацией, для которых наблюдается аномальная зависимость tauvarphi от температуры. Исследовано продольное ОМС в этих структурах на основе теории, развитой для случая размерно-квантованных систем, анализ которого позволил оценить характерную величину размытия delta-слоев. Впервые исследованы эффекты разогрева электронов в delta-слое тянущим электрическим полем. Сделан вывод о том, что релаксация электронов по энергии происходит за счет рассеяния на пьезоакустических фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.